6 月 4 日，存储芯片板块逆市大涨，其中兆易改进（603986.SH）、佰维存储（688525.SH）等多家公司涨超 5%，大为股份（002213.SZ）、太极实业（600667.SH）涨停。音书面上，6 月 3 日，韩国 SK 集团董事长暗意，SK 海力士贪图在明天五年将晶圆产能扩大一倍，内行晶圆清寒的景况可能会捏续到 2030 年。同日，TrendForce 集邦计划上调第一季度 DRAM 和 NAND Flash 合约价涨幅预测，其中惯例 DRAM 合约价从季增 55%-60% 调度为 90%~95%，NAND Flash 从 33%~38% 上调至 55%~60%。

据私募排排网，从产业链角度看，存储芯片波及的四大中枢花样——存储原厂及芯片想象、主控芯片、模组及封测、建树材料——现在均处于供需弥留状态，但各花样的受益逻辑与捏续性存在显赫各异。

本轮景气传导的端耿直致为：AI 做事器需求爆发→原厂及芯片想象事迹爆发→模组与封测厂商连络加价红利→建树与材料企业插足扩产受益阶段。

据私募排排网整理的存储芯片产业链 A 股名单，原厂及想象公规定子包括华虹公司（688347.SH）、兆易改进、澜起科技（688008.SH）、普冉股份（688766.SH）、恒烁股份（688416.SH）、北京君正（300223.SZ）、中芯外洋（688981.SH）、聚辰股份（688123.SH）、上海贝岭（600171.SH）、东芯股份（688110.SH）；主控芯片花样包括万通发展（600246.SH）、江波龙（301308.SZ）、联芸科技（688449.SH）、德明利（001309.SZ）；模组与封测花样包括立和兴、深科技（000021.SZ）、太极实业、华天科技（002185.SZ）、通富微电（002156.SZ）、长电科技（600584.SH）、佰维存储、朗科科技（300042.SZ）等；建树与材料花样包括中巨芯 -U（688549.SH）、江化微（603078.SH）、XD 拓荆科（688072.SH）、盛好意思上海（688082.SH）、雅克科技（002409.SZ）、华海清科（688120.SH）、立昂微（605358.SH）、麦捷科技（300319.SZ）、沪硅产业（688126.SH）、华特气体（688268.SH）、长川科技（300604.SZ）等。

现在，内行存储超等周期的狂欢，已在成本市集献技了历史性的一幕。2026 年 5 月，韩国存储巨头 SK 海力士、三星电子接踵冲破万亿好意思元市值大关。当作英伟达（NVDA.US）AI 算力中枢供应链的要害，SK 海力士畴昔一年股价飙升约 900%，黄金城官方网站入口其中本年来涨幅约为 263%。阐明 Counterpoint Research 的数据，SK 海力士本年第一季度在内行 HBM 市集上占据了 58% 的份额，三星和好意思光各占 21% 的份额。数据表示，好意思股好意思光科技（MU.US）2026 年累计高潮 278%，股价亦创下历史新高。

与此同期，在这场由外洋巨头主导的高端产能竞赛中，内行存储容颜正在阅历剧烈重构。DRAM 内行三大存储原厂 SK 海力士、三星和好意思光加快向利润丰厚的 HBM 歪斜产能—— TrendForce 展望，HBM 占内行 DRAM 总投片量的比例已从两年前的 8% 激增至 23%。这种对通用 DRAM 的"结构性抽血"，正在内行宽阔的中端市集撕开一个巨大的供给缺口。

在此配景下，国产存储厂商迎来"国产替代"黄金窗口期，国内存储龙头正加快解围。

现在，长鑫存储正向内行市集发起冲击。阐明 TrendForce 数据，其内行 DRAM 产能份额已从两年前的不及 5% 增长到 2026 年的约 8%。公司于 5 月 27 日科创板 IPO 过会，拟募资 295 亿元，为科创板史上第二大 IPO。

与此同期，长江存储在 2026 年一季度的内行 NAND 市集份额已攀升至约 13%，同比增幅高达 246%黄金城官方网站入口，已追平好意思光、闪迪（SNDK.US）等外洋竞品。公司已于 5 月 19 日运行 IPO 率领，市集预测估值约 3000 亿元。